轻舞飞扬2016

  • 2020-09-09
  • 发表了主题帖: 26MT120-ASEMI大功率三相整流桥

    编辑-LL 26MT120-ASEMI大功率三相整流桥 型号:26MT120       品牌:ASEMI 封装:D-63 电性参数:26A 1200V 正向电流:26A 反向耐压:1200V 芯片材质:GPP 特性:三相整流方桥 ASEMI品牌26MT120单相整流方桥桥参数规格:电流:26A;电压:1200V;盒装:20PCS/盒。应用于工业中大部分的三相交流用电设备,马达,电焊机,发电机,变频器,通用电磁炉,工 业电源控 制柜,数控车床,通讯等大型机电设备。本产品原装 稳定性和可靠性好,欢迎咨询取样测试。 强元芯电子是一家技术力量雄厚的公司,12年专注于电源领域的研发经验,可为客户提供全套的技术支持!本公司专业生产整流桥,肖特基,快恢复二极管!强元芯在半导体行业有着12年的资质,以诚信经营为宗旨,打造百年诚信企业为方向,本着“客户就是上帝,满足客户需求”的客户观。

  • 发表了主题帖: 36MT160/36MT120_ASEMI电机专用三相整流桥​

    编辑-LL 36MT160/36MT120_ASEMI电机专用三相整流桥​ 产品:36MT160 品牌:ASEMI 封装:D-63 电性参数:36A 1600V 产品描述:电机三相整流桥/大功率整流桥 ASEMI品牌36MT160单相整流方桥桥参数规格:电流:36A;电压:1600V;盒装:20PCS/盒。应用于工业中大部分的三相交流用电设备,马达,电焊机,发电机,变频器,通用电磁炉,工 业电源控 制柜,数控车床,通讯等大型机电设备。本产品原装 稳定性和可靠性好, 欢迎咨询取样测试。 该整流桥高的稳定品质性能得益于芯片的性能,芯片需经过36道工序78道工艺,历时108小时的老化试验后挑选出一致性误差0.05%范围内的芯片。严苛环境下的考验并且采用镀金工艺包封让芯片整体稳定性得以保障,可谓好的整流桥要用好芯造,36MT160就是典型的代表。

  • 发表了主题帖: MT5016/MT5010_ASEMI大功率三相整流桥

    编辑-LL MT5016/MT5010_ASEMI大功率三相整流桥 型号:MT5016 品牌:ASEMI 封装:D-63 电性参数:50A 1600V 正向电流:50A  反向耐压;1600V  芯片材质:GPP 产品描述:电机专用整流桥/三相整流桥/大功率整流桥 MT5016A为ASEMI品牌的单相整流方桥,主要参数规格:50A1600V;芯片材质:GPP;正向电流(Io):50A;芯片个数:5;正向电压(VF):1.05V;芯片尺寸:180MIL;浪涌电流Ifsm:500A;漏电流(Ir):500uA;工作温度:-55℃~+150℃;恢复时间(Trr):500ns;引线数量:5;包装方式:盒装:20PCS/盒。 产品描述:电机专用整流桥/三相整流桥/大功率整流桥 MT5016A主要应用于工业中大部分的三相交流用电设备,马达,电焊机,发电机,变频器,通用电磁炉,工 业电源控 制柜,数控车床,通讯等大型机电设备。

  • 2020-09-08
  • 发表了日志: MT5010/MT5016_ASEMI大功率三相整流桥​

  • 发表了主题帖: MT3510/MT3516_ASEMI电机专用整流桥​

    编辑-LL MT3510/MT3516_ASEMI电机专用整流桥​ 型号:MT3510 品牌:ASEMI 封装:D-63 电性参数:35A 1000V 相关描述:电机专用整流桥/三相整流桥/大功率整流桥 强元芯电子(广东)有限公司成立于2008年,是一家集科研、开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。自主品牌ASEMI,专营整流桥、二极管、电源IC、车用二极管、整流模块等。 ASEMI工厂已通过ISO9001、ISO14001体系认证、产品已通过UL安规认证及SGS认证,并广泛应用于开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、DVD、电磁炉等大小家电。      

  • 2020-08-20
  • 发表了主题帖: DBF310-ASEMI_65W​快充专用整流桥

    DBF310-ASEMI_65W​快充专用整流桥-L ​型号:DBF310 封装:DBF-4 品牌:ASEMI 正向电流:3A 反向耐压:1000V 芯片材质:GPP 特性:快充整流桥 应用范围:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用 ASEMI品牌DBF310,系列产品DBF310、DBF410,供应DBF310,波峰GPP芯片,可靠稳定性高,产品离散性高度一致。 本产品原装正品,质量保证高稳定性和可靠性,欢迎咨询 取样测试。​

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  • 发表了日志: ​GBL806/​GBL808/​GBL810_​氮化镓快充整流桥

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    GBL806/GBL808/GBL810_氮化镓快充整流桥-L 型号:GBL810 品牌:ASEMI 封装:GBL-4 特性:内置GPP芯片 正向电流:6A 反向耐压:50V-1000V 芯片个数:4 漏电流:>10ua 工作温度:-50℃~150℃ 包装方式:500/盒;5K/箱 适用于:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用 ASEMI品牌GBL606,系列产品GBL608、GBL610,供应GBL604,波峰GPP芯片,可靠稳定性高,产品离散性高度一致。 本产品原装正品,质量保证高稳定性和可靠性,欢迎咨询 取样测试。​ 相比传统充电器,它有哪些优势? 充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多,这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片,从而可以更快地进行处理,充电更快。 散热快。氮化镓与前两代的半导体相比,禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作,能承载更高的能量密度,可靠性高,能够将过度充电的可能性最小化。

  • 2020-08-19
  • 发表了日志: GBL606/GBL608/GBL610_ASEMI高效率快充桥堆

  • 发表了主题帖: GBL606/GBL608/GBL610_ASEMI高效率快充桥堆

    GBL606/GBL608/GBL610_ASEMI高效率快充桥堆-L 型号:GBL606 品牌:ASEMI 封装:GBL-4 GBL610的电性参数:正向平均电流6A;反向峰值电压1000V GBL608的包装方式:500/盒,5K/箱 整流桥被广泛适用于:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用​ GBL606采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况 采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好 采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好 采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用 内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接

  • 发表了日志: ​GBL406/GBL408/GBL410_ASEMIl氮化镓快充桥堆

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    ​GBL406/GBL408/GBL410_ASEMIl氮化镓快充桥堆-L 型号:GBL406 品牌:ASEMI 封装:GBL-4 特性:整流扁桥 电性参数:4A 600V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):4A 芯片个数:4 正向电压(VF):1.10V 芯片尺寸:50 浪涌电流Ifsm:60A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-55~+150℃ 恢复时间(Trr):500ns 引线数量:4 氮化镓相比传统充电器,它有哪些优势? 1、充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多,这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片,从而可以更快地进行处理,充电更快。 2、散热快。氮化镓与前两代的半导体相比,禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作,能承载更高的能量密度,可靠性高,能够将过度充电的可能性最小化。​

  • 2020-08-18
  • 发表了日志: GBP408/​GBP410_ASEMI快充充电器桥堆

  • 发表了日志: ​KBP308/​KBP310_ASEMI​氮化镓快充整流桥

  • 发表了主题帖: GBP408/​GBP410_ASEMI快充充电器桥堆

    GBP408/​GBP410_ASEMI快充充电器桥堆​-L 型号:GBP408 品牌:ASEMI 封装:GBP-4 芯片材质:GPP 应用领域:小功率开关电源,电源适配器,LED灯整流器,手机充电器,家用小电器等相关电器产品。​ 相比传统充电器,它有哪些优势? 1、充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多,这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片,从而可以更快地进行处理,充电更快。 2、散热快。氮化镓与前两代的半导体相比,禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作,能承载更高的能量密度,可靠性高,能够将过度充电的可能性最小化。 3、体积小。氮化镓材料本身优异的性能,使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小,同时由于更耐高压,大电流,氮化镓芯片功率密度更大,因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用,电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多,也进一步缩小了体积。​

  • 发表了主题帖: ​KBP308/​KBP310_ASEMI​氮化镓快充整流桥

    ​KBP308/​KBP310_ASEMI​氮化镓快充整流桥-L 型号:KBP308 品牌:ASEMI 封装:KBP-4 电流:3A 电压:800V 芯片材质:GPP 芯片个数:4 正向电压(VF):1.05V 芯片尺寸:60 MIL 浪涌电流Ifsm:60A 漏电流(Ir):500uA 工作温度:-55~+150℃ 恢复时间(Trr):500ns 引线数量:4​ KBP308主要应用于小电流领域产品:小功率开关电源,电源适配器,LED灯整流器,手机充电器,家用小电器等相关电器产品。本品原装台系质量,稳定性和可靠性好,欢迎咨询取样测试。​ 相比传统充电器,它有哪些优势? 充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多,这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片,从而可以更快地进行处理,充电更快。

  • 2020-08-17
  • 发表了主题帖: MSB307-ASEMI手机快充高效率软桥

    MSB307-ASEMI手机快充高效率软桥-ll 产品:MSB307 品牌:ASEMI 封装:MSB 电流:3A 电压:1000V 应用范围:小功率开关电源,充电器,电源适配器,LED灯整流器等相关电器产品。 相比传统充电器,它有哪些优势?​ 散热快。氮化镓与前两代的半导体相比,禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作,能承载更高的能量密度,可靠性高,能够将过度充电的可能性最小化。 体积小。氮化镓材料本身优异的性能,使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小,同时由于更耐高压,大电流,氮化镓芯片功率密度更大,因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用,电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多,也进一步缩小了体积。​  

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